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一种诱导扩增中央记忆性T细胞的培养方法-星空体育官方网站
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一种诱导扩增中央记忆性T细胞的培养方法
发布:2025-04-30 12:23:00 浏览:

  (1)培养瓶的包被:向培养瓶中加入抗体包被液,于4℃静止过夜,随后弃去抗体包被

  液,用PBS缓冲液冲洗2~3遍,加入10mL的PBS缓冲液,置于4℃保存,备用;

  (2)外周血单个核细胞的准备:使用含有肝素钠的采血管采集患者外周血,离心分离得

  到血浆,加等体积生理盐水重悬细胞;用淋巴细胞分离液分离外周血单个核细胞,随后用

  使用T细胞扩增培养基重悬外周血单个核细胞,重悬后细胞悬液总体积不超过50mL;将

  cells/mL;培养第7天或细胞体积到达450~550mL后,转入细胞培养

  所述T细胞扩增培养基中,含有1%(v/v)的自体血浆、终浓度10ng/mL的IL7、终浓度

  2.如权利要求1所述的培养方法,其特征在于,所述抗体包被液为pH值8.0的PBS缓冲

  液,其中含有5μg/mL抗CD3活化性抗体和5μg/mL抗CD28活化性抗体。

  3.如权利要求1所述的培养方法,其特征在于,所述T细胞扩增培养基中,含有1%(v/v)

  4.如权利要求1所述的培养方法,其特征在于,所述自体血浆是通过以下方法得到的:

  收集患者自体血浆,于56℃孵育30min,随后4℃静止1小时,使用4000×g离心力离心20min,

  5.如权利要求1所述的培养方法,其特征在于,步骤(3)T细胞扩增培养基重悬外周血单

  近年来,过继性免疫细胞治疗特别是嵌合型抗原受体细胞(Chimeric antigen

  为研究的热点。研究发现,过继T细胞在体内的生存和扩增能力与治疗效果高度相关,T细胞

  在体内的生存和扩增能力又与T细胞的分化程度呈负相关,T细胞分化程度越高其在体内增

  然而,虽然已有多种T细胞体外扩增方法,但这些T细胞扩增方法,往往会导致T细

  胞终末分化为效应T细胞,回输患者体内后细胞增殖和扩增能力低下,严重影响过继性T细

  胞治疗的疗效。因此,开发一种能够减少T细胞终末分化的新型快速扩增方法,使T细胞分化

  ,保持T细胞在体内的生存能力,提高T细胞治疗的效果,具有重要的临床应用意义。

  (1)培养瓶的包被:向培养瓶中加入抗体包被液,于4℃静止过夜,随后弃去抗体包

  被液,用PBS缓冲液冲洗2~3遍,加入10mL的PBS缓冲液,置于4℃保存,备用;

  (2)外周血单个核细胞的准备:使用含有肝素钠的采血管采集患者外周血,离心分

  离得到血浆,加等体积生理盐水重悬细胞;用淋巴细胞分离液分离外周血单个核细胞,随后

  50mL;将细胞悬液加入步骤(1)包被后的培养瓶中,置于37℃、5%(v/v)CO

  所述T细胞扩增培养基中,含有1%(v/v)的自体血浆、终浓度10ng/mL的IL7、终浓

  所述抗体包被液为pH值8.0的PBS缓冲液,其中含有5μg/mL抗CD3活化性抗体和5μ

  所述T细胞扩增培养基中,含有1%(v/v)的自体血浆、终浓度10ng/mL的IL7、终浓

  所述自体血浆是通过以下方法得到的:收集患者自体血浆,于56℃孵育30min,随

  后4℃静止1小时,使用4000×g离心力离心20min,去除杂质,置于4℃保存,备用。

  (Nicotinamide,NAM)扩增获得T细胞,通过研究不同浓度的NAM对扩增的T细胞中T

  胞扩增倍数和细胞抗凋亡能力的影响,得到扩增培养基中加入10mM  NAM是扩增T细胞的最

  佳剂量。结果表明:培养基中含10mM  NAM时扩增T细胞,不仅不会减少T细胞的总数,而且会

  通过培养基中添加NAM扩增获得的T细胞,对CD3活化性抗体再刺激反应能力研究

  表明,T细胞不仅具有更强的抗凋亡能力,还具有更强的增殖和细胞因子表达潜力。

  本发明方法将NAM添加到T细胞扩增培养物中,可获得更多中央记忆性T细胞,显著

  提高T细胞的质量。这种新颖的策略可以有效保持T细胞的“年轻”状态,为T细胞的临床治疗

  应用提供良好基础。可以预见,当过继输注给患者时,会增强它们的抗肿瘤作用。因此,本发

  图1为对比不同浓度NAM培养基扩增的T细胞流式检测中央记忆性T细胞表面标志

  图4为不同浓度NAM培养基中培养的T细胞抗凋亡分子Bcl2和凋亡相关分子Fas基

  图5为NAM培养的T细胞再次活化后流式检测中央记忆性T细胞表面标志CD45RO和

  其中,a图为典型的流式散点图,b图为流式结果统计图,NAM(‑)为无NAM培养基组,

  其中,数据处理以无NAM培养基中培养细胞不使用anti‑CD3再刺激的细胞吸光度

  为1,计算不同处理后细胞增殖倍数,数据呈现使用Mean±SD,***为P<0.001。

  图7为NAM培养的T细胞再刺激后定量PCR检测抗凋亡分子Bcl‑2和细胞因子的基因

  其中,a图为Bcl‑2基因表达统计图,b图为细胞因子基因表达统计图,数据处理以

  无NAM培养的细胞基因表达为1,计算NAM培养基组基因表达变化倍数,数据呈现使用Mean±

  施例中所涉及的仪器设备均为常规仪器设备;涉及试剂均为市售常规试剂;涉及试验方法

  (1)培养瓶的包被:向T75培养瓶中加入8mL抗体包被液,于4℃静止过夜,随后星空体育官方入口 星空体育官网弃去

  抗体包被液,用PBS缓冲液冲洗3遍,加入10mL  PBS缓冲液,置于4℃保存,备用;

  其中,抗体包被液为:pH值8.0的PBS缓冲液中,含有5μg/mL抗CD3活化性抗体和5μ

  (2)外周血单个核细胞的准备:使用含有肝素钠的采血管采集患者外周血50mL,

  700×g离心10min分离血浆;使用等体积的生理盐水重悬细胞,用淋巴细胞分离液分离外周

  (3)自体血浆的处理:收集患者自体血浆,56℃孵育30min,随后4℃静止1h,使用

  使用T细胞扩增培养基重悬外周血单个核细胞,重悬后细胞悬液调整细胞密度为1

  其中,采用的T细胞扩增培养基为GT‑T551‑H3无血清培养基,含有1%的(v/v)自体

  将细胞悬液加入步骤(1)包被后的培养瓶中,置于37℃、5%(v/v)CO

  可补加T细胞扩增培养基);培养第7天或细胞体积到达450~550mL后,转入细胞培养袋,继

  采用实施例1的方法扩增T细胞,研究不同NAM添加量对T细胞扩增效果的影响。通

  过改变步骤(4)T细胞扩增培养基中NAM的添加量,分别设置不同NAM添加量的组别:不添加

  收集待测样品,通过500×g离心获得细胞。用PBS洗涤2次后,将收获的细胞分别使

  结果分析,首先将CD3阳性细胞圈群,标记为T细胞,然后在T细胞群中分析CD45RO

  细胞占T细胞群的百分比。如图1所示,与0mM  NAM组相比,含有5mM、10mM或

  以上结果表明,使用含10mM和20mM的NAM组能显著提高扩增的T细胞中T

  T细胞,通常需要将T细胞扩增至少100倍左右。因此,为进一步评价添加NAM扩增获得的T细

  胞是否能够满足临床实际需求,我们评价了不同浓度的NAM在14天中T细胞扩增倍数,如图3

  和10mM  NAM组。这些结果表明,使用5mM和10mM的NAM扩增T细胞,可以获得满足临床治疗需

  T细胞活化过程中,线粒体生物合成和呼吸作用会显著增加,以提供足够的ATP用

  于细胞生长期间的增殖和分化。线粒体呼吸增加会导致线粒体产生活性氧(ROS)的快速增

  加,高水平的ROS通过激活诱导的细胞死亡(AICD)或激活的细胞自主死亡(ACAD)来驱动T细

  胞凋亡。AICD机制主要由Fas/Fas‑L通路介导。ACAD机制主要依赖于内在死亡途径,它涉及

  Bcl‑2家族蛋白的促凋亡和抗凋亡成员。NAM先前已被证明可降低ROS水平,并抑制多种类型

  细胞中ROS诱导的细胞凋亡并上调Bcl‑2表达。因此,通过qPCR检测促凋亡(Fas)和抗凋亡

  mRNA特异性引物见表1。靶基因表达水平通过2ΔΔCT方法计算,用于对GAPDH表达进行归一

  如图4所示,使用5mM、10mM和20mM  NAM扩增的细胞,细胞中Bcl‑2基因表达水平相

  对于0mM  NAM组显著升高(图4a)。同时,在含有10mM或20mM  NAM的培养基中培养的T细胞中,

  Fas基因表达水平显著下降(图4b)。5mM  NAM组的细胞中,Fas基因表达水平相对于0mM  NAM

  组在统计学上无显著差异。以上结果表明,在使用10mM或20mM  NAM扩增的T细胞具有更强的

  过继性T细胞的肿瘤治疗效果取决于回输T细胞在体内的免疫反应能力、增殖能力

  和持久性。检测扩增后的T细胞对二次活化刺激的免疫反应能力、增殖能力和抗凋亡能力是

  评价细胞质量的重要指标。为了进一步评价使用NAM中央记忆性T细胞扩增技术是否能提高

  细胞在体内的增殖能力、免疫反应能力和抗凋亡能力,我们采用实施例1的方法扩增T细胞,

  改变步骤(4)T细胞扩增培养基中NAM的添加量,分别设置不添加NAM处理组(NAM(‑)组)、添

  加10mM的NAM处理组(NAM(+)组)。细胞扩增14天后,收集细胞进行以下实验。

  扩增结束后,使用离心法分别收集NAM(+)组和NAM(‑)组细胞2×10

  25min,离心弃去抗体,PBS洗两遍,随后进行流式检测。结果分析,首先圈定CD3阳性细胞群

  为T细胞亚群,然后分析T细胞中CD45RO阳性的记忆性T细胞和CD45RO

  结果显示,如图5所示,NAM(+)组使用CD3抗体再次刺激活化后,细胞中CD45RO

  培养1小时。使用酶标仪测定OD450吸光度,数据处理以NAM(‑)组吸光度为1,计算其它组

  结果显示,如图6所示,使用NAM(+)组扩增获得的T细胞在接受CD3抗体二次刺激活

  化后,其细胞增殖能力显著高于NAM(‑)组。NAM(+)组在无CD3抗体刺激时,其细胞增殖能力

  与NAM(‑)+anti‑CD3组相同。以上结果说明使用NAM扩增T细胞能显著提高T细胞二次活化后

  扩增结束后,使用离心法分别收集NAM(+)组和NAM(‑)组细胞5×10

  PCR系统中扩增分析。靶基因mRNA特异性引物见表1。靶基因表达水平通过2ΔΔCT方法计

  结果表明,如图7a所示,使用NAM(+)组在CD3抗体活化后,其抗凋亡分子Bcl‑2基因

  表达水平显著高于NAM(‑)组,说明NAM培养获得的T细胞在二次活化后仍具有更强的抗凋亡

  能力。在细胞因子表达检测中我们发现,NAM(+)组不仅上调具有免疫活化作用的细胞因子

  以上结果表明,使用NAM扩增获得的T细胞不仅具有更强的抗凋亡能力,而且还具